硅光電池結(jié)構(gòu)

硅光電池結(jié)構(gòu)如圖２．４—１所示。利用硅片制成ＰＮ結(jié)，在Ｐ型層上貼一柵形電極，Ｎ型層上鍍背電極作為負(fù)極。電池表面有一層增透膜，以減少光的反射。由于多數(shù)載流子的擴(kuò)散，在Ｎ型與Ｐ型層間形成阻擋層，有一由Ｎ型層指向Ｐ型層的電場(chǎng)阻止多數(shù)載流子的擴(kuò)散，但是這個(gè)電場(chǎng)卻能幫助少數(shù)載流子通過。當(dāng)有光照射時(shí)，半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生正負(fù)電子對(duì)，這樣Ｐ型層中的電子擴(kuò)散到ＰＮ結(jié)附近被電場(chǎng)拉向Ｎ型層，Ｎ型層中的空穴擴(kuò)散到ＰＮ結(jié)附近被阻擋層拉向Ｐ區(qū)，因此正負(fù)電極間產(chǎn)生電流；如停止光照，則少數(shù)載流子沒有來源，電流就會(huì)停止。硅光電池的光譜靈敏度最大值在可見光紅光附近（８００ｎｍ），截止波長(zhǎng)為１１００ｎｍ。圖２．４—２表示硅光電池靈敏度的相對(duì)值。