太陽能部分多晶硅材料小知識及技術(shù)要求

A、太陽能級多晶硅料

技術(shù)要求：

總體要求：硅含量99.9999%

含硼量：<0.20ppba

含磷量：<0.90ppba

含碳量：<1.00ppba

金屬含量：<30.00ppba

金屬表面含量：<30.00ppba

尺寸大小要求：25mm---250mm

多晶種類：p型

電阻率：>0.50Ohmcm

B、破碎半導體級硅片

技術(shù)要求：

半導體級碎硅片

片子形狀為圓弧形碎片

硅片厚度>=400um

型號為p型

電阻率：>0.50Ohmcm

C、小多晶硅

技術(shù)要求

1.型號為N型，電阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于5*1017/cm3

2.塊狀為4mm

3.不能有氧化物夾層和不熔物，最好為免洗料

D、直拉多晶硅

技術(shù)要求

1.磷檢為N型，電阻率大于100ohmcm，硼檢為p型，電阻率大于1000ohmcm.少婁載流子壽命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017cm3

2.塊狀小于30mm

3.不能有氧化物夾層和不熔物，最好為免洗料

E、區(qū)熔頭尾料

技術(shù)要求

1.N型，電阻率大于50chmom少數(shù)載流子壽命大于100μm

2.塊狀大于30mm

3.區(qū)熔頭尾料不能有氣泡，不能有與線圈接觸所造成的沾污，更不能有區(qū)熔過程的流硅或不熔物。

4.最好為免洗料

F、直拉頭尾料（IC料），最好為免洗料

1.N型，電阻率大于10ohmom

2.p型，電阻率大于0.5ohmom

3.塊狀大于30mm，片厚大于0.5mm

4.直拉頭尾料不能氣泡，更不能有不熔物