3月19日，材料領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)期刊《自然·材料》，發(fā)表復(fù)旦大學(xué)修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)最新研究論文——《外爾半金屬砷化鈮納米帶中的超高電導(dǎo)率》。

修發(fā)賢團(tuán)隊(duì)新研制的砷化鈮納米帶材料，電導(dǎo)率是銅薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍，制備出了二維體系中具有目前已知最高導(dǎo)電率的外爾半金屬材料——砷化鈮納米帶。

導(dǎo)電材料是電子工業(yè)的基礎(chǔ)，現(xiàn)在最主要的材料是銅，而當(dāng)銅變得很薄，進(jìn)入二維尺度時(shí)，電阻變大，導(dǎo)電性迅速變差，功耗大幅度增加，這成為制約芯片等集成電路技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的重要瓶頸。

據(jù)復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系教授修發(fā)賢介紹，他們利用氯化鈮、砷、氫氣三種元素制備了砷化鈮納米帶，這種材料它表面有一個(gè)表面態(tài)，這個(gè)表面態(tài)就允許電子在上面快速地通行，等于創(chuàng)造了一個(gè)綠色的通道，這樣的話，在低維尺度下，就可以讓電子快速通過(guò)而降低能耗。