近期，晶體硅生長技術(shù)論壇在杭州召開。此次論壇由亞化咨詢主辦，云集了協(xié)鑫、阿特斯、榮德等主流長晶企業(yè)技術(shù)專家，精功科技、晶盛機(jī)電、GTAT等設(shè)備制造商負(fù)責(zé)人，以及浙江大學(xué)、江蘇大學(xué)教授等權(quán)威專家。保利協(xié)鑫長晶事業(yè)部總裁游達(dá)博士參會并作《GCL鑄錠單晶技術(shù)進(jìn)展》報(bào)告。游達(dá)博士認(rèn)為，鑄錠單晶擁有更低氧含量、更低衰減、無缺角，性價比優(yōu)勢非常明顯。

游達(dá)博士認(rèn)為，多晶鑄錠硅片產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢為高產(chǎn)能、低光衰、低封裝損失;Cz單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率高、位錯密度低、可以采用堿制絨工藝，采用鑄錠方法生產(chǎn)的單晶硅片兼具二者技術(shù)優(yōu)勢。部分下游客戶使用反饋，疊加PERC技術(shù)后，鑄錠單晶與Cz單晶效率差最少僅為0.18%，而成本大幅降低。而且，數(shù)據(jù)顯示，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上，長期發(fā)電量更高。

游達(dá)博士表示，鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產(chǎn)品，由于不存在缺角，其硅片面積100%可利用，比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件(60片)可以封裝到310瓦。在同功率輸出的條件下，鑄錠單晶組件價格比Cz單晶低0.06元/瓦，度電成本低0.006元/度。

游達(dá)博士介紹，保利協(xié)鑫2011年即開始研究鑄錠單晶技術(shù)，已經(jīng)發(fā)布第三代產(chǎn)品。目前，保利協(xié)鑫鑄錠熱場工藝、錠檢設(shè)備、產(chǎn)品品質(zhì)全面升級，對稱性熱場，分段式加熱控制有效降低位錯，實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)整錠單晶。繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片將成為對市場有重大影響的差異化產(chǎn)品。