在本篇電源設(shè)計秘笈中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負(fù)載電流的電源效率。我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來計算電源損耗：

下一步是利用上述簡單表達(dá)式，并將其放入效率方程式中：

這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可出現(xiàn)一個有趣的結(jié)果。

當(dāng)輸出電流等于如下表達(dá)式時，效率將會最大化。

要注意的第一件事是，a1項對效率達(dá)到最大時的電流不出現(xiàn)影響。這是由于它與損耗相關(guān)，而上述損耗又與諸如二極管結(jié)點(diǎn)的輸出電流成比例關(guān)系。因此，當(dāng)輸出電流新增時，上述損耗和輸出功率也會隨之新增，并且對效率沒有影響。要注意的第二件事是，最佳效率出現(xiàn)在固定損耗和傳導(dǎo)損耗相等的某個點(diǎn)上。這就是說，只要控制設(shè)置a0和a2值的組件，便能夠獲得最佳效率。還是要努力減小a1的值，并提高效率?？刂圃擁椝媒Y(jié)果對所有負(fù)載電流而言均相同，因此如其他項相同沒有出現(xiàn)最佳效率。a1項的目標(biāo)是在控制成本的同時達(dá)到最小化。

表1概括總結(jié)了各種電源損耗項及其相關(guān)損耗系數(shù)，該表供應(yīng)了一些最佳化電源效率方面的折中方法。例如，功率MOSFET導(dǎo)通電阻的選擇會影響其柵極驅(qū)動要求及Coss損耗和潛在的緩沖器損耗。低導(dǎo)通電阻意味著，柵極驅(qū)動、Coss和緩沖器損耗逆向新增。因此，您可通過選擇MOSFET來控制a0和a2。

代數(shù)式下一位將最佳電流代回到效率方程式中，解得最大效率為：

要最小化該表達(dá)式中的最后兩項，以最佳化效率。a1項很簡單，只需對其最小化即可。末尾項能夠?qū)崿F(xiàn)部分優(yōu)化。假如假設(shè)MOSFET的Coss和柵極驅(qū)動功率與其面積相關(guān)，同時其導(dǎo)通電阻與面積成反比，則可以為它選擇最佳面積(和電阻)。圖12.1顯示了裸片面積的優(yōu)化結(jié)果。裸片面積較小時，MOSFET的導(dǎo)通電阻變?yōu)樾氏拗破?。隨著裸片面積新增，驅(qū)動和Coss損耗也隨之新增。

圖12.2是圍繞圖12.1最佳點(diǎn)的三種可能設(shè)計效率圖。圖中分別顯示了三種設(shè)計的正常裸片面積。輕負(fù)載情況下，較大面積裸片的效率會受不斷新增的驅(qū)動損耗影響，而在重負(fù)載條件下小尺寸器件因高傳導(dǎo)損耗而變得不堪重負(fù)。這些曲線代表裸片面積和成本的三比一變化，注意這一點(diǎn)非常重要。正常芯片面積設(shè)計的效率只比滿功率大面積設(shè)計的效率稍低一點(diǎn)，而在輕載條件下(設(shè)計常常運(yùn)行在這種負(fù)載條件下)則更高。