[導(dǎo)讀]美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)（ThepennsylvaniaStateUniversity，pSU）和英國(guó)南安普頓大學(xué)（UniversityofSouthampton）組成的研究小組，在以SiO2為重要成分的光纖核心部分成功制備了同心圓狀硅半導(dǎo)體的pin結(jié)。pin結(jié)具有光電轉(zhuǎn)換功能，一旦有光照射，就會(huì)與太陽(yáng)能電池相同出現(xiàn)電動(dòng)勢(shì)。關(guān)鍵詞：光纖太陽(yáng)能電池

由美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)（ThepennsylvaniaStateUniversity，pSU）和英國(guó)南安普頓大學(xué)（UniversityofSouthampton）組成的研究小組，在以SiO2為重要成分的光纖核心部分成功制備了同心圓狀硅半導(dǎo)體的pin結(jié)。pin結(jié)具有光電轉(zhuǎn)換功能，一旦有光照射，就會(huì)與太陽(yáng)能電池相同出現(xiàn)電動(dòng)勢(shì)。假如形成布線，便可成為纖維狀太陽(yáng)能電池或快速響應(yīng)的光檢測(cè)器（pD：photodetector）。

長(zhǎng)1m的太陽(yáng)能電池（攝影：賓夕法尼亞州立大學(xué)Badding實(shí)驗(yàn)室）

優(yōu)點(diǎn)是可制造長(zhǎng)度在10m以上

pSU化學(xué)教授JohnBadding等的研究小組采用以同心圓狀制備p+型、i型及n+型硅半導(dǎo)體的技術(shù)，在光纖的核心部分制備了pin結(jié)（圖1）。具體做法是用高壓化學(xué)氣相沉積法（CVD）向中空的光纖內(nèi)部吹入硅烷（SiH4）氣體，通過(guò)溫度控制等使其結(jié)晶而成。

圖1：同心圓狀pin結(jié)

圖為太陽(yáng)能電池光纖的截面。中心是p＋層，往外依次是i層和n＋層。（攝影：賓夕法尼亞州立大學(xué)Badding實(shí)驗(yàn)室）

在圓筒型太陽(yáng)能電池方面，也有其他開發(fā)同心圓狀太陽(yáng)能電池的案例，但此次的pin結(jié)直徑非常小，只有約13μm。目前可制備的長(zhǎng)度為1m～數(shù)m，但“假如采用最近我們開發(fā)的方法，應(yīng)該可以做大10m以上”（Badding）。

這種光纖型太陽(yáng)能電池非常柔軟，可以像布相同編織，做成帶發(fā)電功能的衣服，還可以將手機(jī)等外殼的曲面部分做成太陽(yáng)能電池?！霸瓉?lái)的平面太陽(yáng)能電池能發(fā)電的光照射角度有限制，而這種光纖型太陽(yáng)能電池對(duì)光的照射角度基本沒有依賴性”（Badding）。

不過(guò)，目前這種光纖還未內(nèi)置從pin結(jié)獲取電力的布線。但Badding等人已在光纖中集成過(guò)電路，因此內(nèi)置布線應(yīng)該不是多大問(wèn)題。

另一方面，這種pin結(jié)已經(jīng)確認(rèn)可以作為pD來(lái)工作。由于pin結(jié)非常微細(xì)，因此對(duì)1.8GHz的高頻率可見光激光脈沖具有響應(yīng)性。

光纖中集成了各種功能

Badding等的研究小組從2006年就開始研究在光纖中安裝各種功能的技術(shù)。2006年成功在光纖的核心部分制備了非晶硅。2008年前后，開發(fā)出了制備單晶硅的技術(shù)，并于2011年開發(fā)出了制備肖特基二極管及簡(jiǎn)單電路的技術(shù)。

Badding等的最終目標(biāo)是開發(fā)出芯線內(nèi)部不僅集成有此次的光電轉(zhuǎn)換功能、還集成有電信號(hào)高速處理電路的光纖。假如能夠?qū)崿F(xiàn)，那么用一根光纖即可實(shí)現(xiàn)發(fā)電、光電信號(hào)轉(zhuǎn)換、電信號(hào)處理及光通信。