從本文開(kāi)始將探討各部位的損耗計(jì)算方法。本文介紹功率開(kāi)關(guān)–輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。

pONH：高邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗

pONL：低邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗

pSWH：開(kāi)關(guān)損耗

pdead_time：死區(qū)時(shí)間損耗

pIC：IC自身功率損耗

pGATE：柵極電荷損耗

pCOIL：電感的DCR帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗

輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗

輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗是高邊和低邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻（RDS（ON））帶來(lái)的，也稱為“導(dǎo)通損耗”。在這里使用以下符號(hào)來(lái)表示。

ONH：高邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗

ONL：低邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的傳導(dǎo)損耗

導(dǎo)通電阻是表示MOSFET特性的重要參數(shù)之一，并且MOSFET一定存在導(dǎo)通電阻。因此顯而易見(jiàn)，具有電阻的導(dǎo)體中會(huì)有電流流過(guò)，而這部分會(huì)產(chǎn)生損耗。

下面來(lái)求MOSFET的傳導(dǎo)損耗。下面電路圖中的IONH（紅色）表示高邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流。IONL（藍(lán)色）為低邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流。波形圖中的LX是開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的電壓波形，IONH和IONL是伴隨著開(kāi)關(guān)的各電流波形，IL是電感電流，這是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)型示例。

在同步整流中，高邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)低邊開(kāi)關(guān)會(huì)關(guān)斷，低邊導(dǎo)通時(shí)高邊會(huì)關(guān)斷。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形的紅色部分表示流過(guò)IONH，藍(lán)色部分表示流過(guò)IONL。也就是說(shuō)，這期間流過(guò)MOSFET的電流和MOSFET的導(dǎo)通電阻帶來(lái)的功率損耗成為各自的傳導(dǎo)損耗。以下為計(jì)算公式示例。

可以看出，結(jié)果是根據(jù)歐姆定律，I2、R乘以導(dǎo)通期間后的值。電流模型使用了平均電流Io。

順便提一下，在二極管整流（非同步整流）的情況下，同步整流的低邊MOSFET僅成為二極管，因此可以用同樣的思路來(lái)求損耗。二極管中沒(méi)有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)，因此根據(jù)正向電壓Vf計(jì)算。在這里由于電壓（Vf）是已知的，因此可以通過(guò)V、I來(lái)計(jì)算。另外，當(dāng)開(kāi)關(guān)為雙極晶體管時(shí)，也可以按照和二極管相同的思路根據(jù)VCE來(lái)計(jì)算。

在實(shí)際的計(jì)算中重要的是：導(dǎo)通電阻的值根據(jù)Io值中的導(dǎo)通電阻來(lái)計(jì)算。一般情況下在MOSFET的技術(shù)規(guī)格書(shū)中會(huì)給出導(dǎo)通電阻RDS（ON）和IDS的曲線圖，可以利用這些數(shù)據(jù)。二極管的Vf和雙極晶體管的VCE也同樣可以使用技術(shù)規(guī)格書(shū)中給出的數(shù)據(jù)。

關(guān)鍵要點(diǎn)：

?同步整流降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET的傳導(dǎo)損耗根據(jù)導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通時(shí)的電流及導(dǎo)通期間來(lái)計(jì)算。