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美研制出迄今透明度最高氧化銦錫導電薄膜

鉅大鋰電  |  點擊量:0  |  2020年04月22日  

對于觸摸顯示屏或太陽能電池板來說,導電涂層的透光性越強越好,因此工程師們往往采用透明的氧化銦錫(ITO)薄膜作為研制材料,但成本低、工藝簡單也是產品實用化必不可少的要件。據(jù)物理學家組織網8月8日(北京時間)報道,美國布朗大學和先進材料股份有限公司(ATMI)的研究人員宣布,他們利用一種化學溶液,制造出了迄今透明度最高的氧化銦錫導電薄膜,且技術簡單、成本低廉,有望受到制造商的青睞。


該導電薄膜厚度只有1460億分之1米,可使93%的光透過,透明度堪比玻璃。研究人員使用可彎曲的聚酰亞胺作為基底,這意味著其在柔性顯示屏方面具有應用潛力。我們的技術已經達到了應用于電阻式觸摸屏的性能水平。布朗大學化學系研究生李宗泫(音譯)說。


近日出版的《美國化學學會會刊》介紹了這種制造方法:將含有氧化銦錫納米晶體的溶液滴向一塊快速旋轉的基板,便可獲得一張平整、光滑的薄膜,這一過程被稱為自旋澆鑄。


研究人員隨后對涂層板進行退火處理,以測試薄膜的透明度和導電性。經多次實驗發(fā)現(xiàn),退火處理的持續(xù)時間最好為6個小時,而且,改變材料的厚度和錫含量(最好在5%至10%之間),透明度和電阻也會隨之變化,由此就能找到二者的最佳組合,從而開發(fā)出性能最好的導電薄膜。通過控制納米晶體溶液的濃度,我們可以將薄膜的厚度控制在30納米到140納米之間。李宗泫說。


論文主要作者、布朗大學化學系教授孫守恒(音譯)表示,自旋澆鑄工藝并不難,該方法的突破性在于找到合適的材料乙酰丙酮銦和乙酰丙酮氯化錫來制造氧化銦錫納米晶體,以生產高性能的導電薄膜。他們合成的氧化銦錫納米晶體尺寸極小,直徑約為110億分之1米。當晶體在薄膜上自行排列時,既不會擠成一團,也不會距離太遠,這種密集但分布均勻的晶體陣列有助于提高薄膜的導電率。


論文合著者、ATMI公司高級科學家梅麗莎皮特魯斯卡說,下一步將通過濺射法使氧化銦錫薄膜的導電性能提高一個數(shù)量級,同時降低成本,提高流程效率。因此,研究小組計劃在新的實驗中進一步降低電阻,縮短退火處理的時間,并利用噴墨或卷對卷式印刷技術來制造形式多樣的薄膜,而不僅僅是連續(xù)的片狀薄膜。(記者陳丹)


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