電源開發(fā)是個(gè)技術(shù)活，也是個(gè)累活，工作繁雜時(shí)難免會犯一些低級小錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤，會導(dǎo)致一系列的連鎖反應(yīng)，需要采購部、生產(chǎn)部、PM、品管部、業(yè)務(wù)部、工程部等眾多部門來配合，以修正你的那個(gè)小錯(cuò)誤。

電源開發(fā)是個(gè)技術(shù)活，也是個(gè)累活，工作繁雜時(shí)難免會犯一些低級小錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤，會導(dǎo)致一系列的連鎖反應(yīng)，需要采購部、生產(chǎn)部、PM、品管部、業(yè)務(wù)部、工程部等眾多部門來配合，以修正你的那個(gè)小錯(cuò)誤。本文作者將為大家分享自己在十年研發(fā)電源工作中，積累的一些實(shí)用經(jīng)驗(yàn)，希望對大家有所幫助。

1.變壓器圖紙、PCB、原理圖這三者的變壓器飛線位號需一致，這是安規(guī)認(rèn)證要求。很多工程師在申請安規(guī)認(rèn)證提交資料時(shí)會犯這個(gè)錯(cuò)誤。

2.X電容的泄放電阻需放兩組。UL62368、CCC認(rèn)證要求斷開一組電阻再測試X電容的殘留電壓。

這是很多新手會犯的一個(gè)錯(cuò)誤，修正只能重新改PCBLayout，浪費(fèi)自己和采購打樣的時(shí)間。

3.變壓器飛線的PCB孔徑需考慮到最大飛線直徑，必要時(shí)預(yù)留兩組一大一小的PCB孔，避免組裝困難或過爐空焊問題。

安規(guī)申請認(rèn)證通常會有一個(gè)系列，比如說24W申請一個(gè)系列，其中包含4.2V-36V電壓段，輸出低壓4.2V大電流和高壓36V小電流的飛線線徑是不一樣的。

多根飛線直徑計(jì)算參考如下表格：

4.輸出DC線材的PCB孔徑需考慮到最大線材直徑，避免組裝困難。

因?yàn)槟愕腜CB可能會用在不同電流段上，比如5V/8A和20V/2A使用的線材是不一樣的。

參考如下表格：

5.電路調(diào)試，OCP限流電阻多個(gè)并聯(lián)的阻值要設(shè)計(jì)成一樣，阻值越大的那顆電阻承受的功率越大。

6.電路設(shè)計(jì)，散熱片引腳的孔做成長方形橢圓形(經(jīng)驗(yàn)值：2*1mm)，避免組裝困難。

橢圓形的孔方便散熱器有個(gè)移動的空間，這對組裝和過爐是非常有利。

7.電路調(diào)試，異常測試時(shí)，輸出電壓或OVP設(shè)計(jì)要小于60Vac(Vpk)/42.4Vdc(Vrms)，這是安規(guī)要求。

新手比較容易忽略，所以申請認(rèn)證的產(chǎn)品一定要做OVP測試，抓輸出瞬間波形。

8.電路設(shè)計(jì)，電解電容的防爆孔距離大于2mm，臥式彎腳留1.5mm。一般正規(guī)公司都有這個(gè)要求，防爆孔的問題日本比較重視，特殊情況除外。

9.電路調(diào)試，輸出有LC濾波的電路需要老化確認(rèn)紋波，如果紋波異常請調(diào)整環(huán)路。這一點(diǎn)很重要，我之前經(jīng)常碰到這個(gè)問題，產(chǎn)線老化后測試紋波會變高，現(xiàn)象是環(huán)路震蕩。

10.電路調(diào)試，二極管并聯(lián)時(shí),應(yīng)該測試一顆二極管故障開路時(shí),產(chǎn)生的異常(包括TO-220里的兩顆二極管)。小公司一般都不會做這個(gè)動作的，一款優(yōu)秀的產(chǎn)品是要經(jīng)得起任何考驗(yàn)的。

11.電路設(shè)計(jì)，如果PCB空間充裕，請?jiān)O(shè)計(jì)成通殺所有安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，以減少PCB修改次數(shù)。

假設(shè)某一產(chǎn)品只符合UL60335標(biāo)準(zhǔn)，如客戶希望滿足UL1310，需要修改PCBLayout并拿去安規(guī)報(bào)備。如果一開始即符合各類標(biāo)準(zhǔn)，后面的工作會輕松很多。

12.電路設(shè)計(jì)，ESD設(shè)計(jì)成接觸8KV/空氣15KV標(biāo)準(zhǔn)，減少后續(xù)整改次數(shù)。

像飛利浦這樣的客戶對ESD要求非常嚴(yán)的，聽說富士康的還需要達(dá)到20KV，哪天有這種客戶要求，你又得忙一段時(shí)間了。

13.電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)變壓器時(shí)，VCC電壓在輕載電壓要大于IC的欠壓關(guān)斷電壓值。判斷空載VCC電壓需大于芯片關(guān)斷電壓的5V左右，同時(shí)確認(rèn)滿載時(shí)不能大于芯片過壓保護(hù)值。

14.電路設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)共用變壓器需考慮到使用最大輸出電壓時(shí)的VCC電壓，低溫時(shí)VCC有稍微NOSIE會碰觸OVP動作。

如果你的產(chǎn)品9V-15V是共用一個(gè)變壓器，請確認(rèn)VCC電壓和功率管耐壓。

15.電路調(diào)試，Rcs與Ccs值不能過大，否則會造成VDS超過最大耐壓炸機(jī)。

LEB前沿消隱時(shí)間設(shè)短了，比尖峰脈沖的時(shí)間還短，那就沒有效果了還是會誤判；如果設(shè)長了，真正的過流來了起不到保護(hù)的作用。

Rcs與Ccs的RC值不可超過1NS的Delay，否則輸出短路時(shí)，Vds會比滿載時(shí)還高，超過MOSFET最大耐壓就可能造成炸機(jī)。

經(jīng)驗(yàn)值1nS的Delay約等于1；

K對100PF，也等于100R對102PF。

16.畫小板時(shí)，在小板引腳的90度拐角處增加一個(gè)圓形鉆孔，方便組裝。如圖：

實(shí)物圖

實(shí)際組裝圖

這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會有浮高現(xiàn)象。

17.電路設(shè)計(jì)，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒。

18.電路調(diào)試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因?yàn)?N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機(jī)。

19.電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。

之前是犯了這個(gè)很低級的錯(cuò)誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。

20.電路設(shè)計(jì)，大電容或其它電容做成臥式時(shí)，底部如有跳線需放在負(fù)極電位，這樣跳線可以不用穿套管，節(jié)省成本。

21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認(rèn)書或在BOM表要有描述，如67mil（理由：管控供應(yīng)商送貨一致性，避免供應(yīng)商偷工減料，影響產(chǎn)品效率）。

令人煩惱的就是供應(yīng)商做手腳，導(dǎo)致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導(dǎo)致。

22.電路設(shè)計(jì)，Snubber電容，因?yàn)橛挟愐魡栴}，優(yōu)先使用Mylar電容，這是處理異音的方法之一。

23.電路設(shè)計(jì)，啟動電阻如果使用在整流前，要加串一顆幾百K的電阻。電阻短路時(shí),不會造成IC和MOSFET損壞。

電路圖

24.電路設(shè)計(jì)，高壓大電容并一顆103P瓷片電容位置，理由：對輻射30-60MHz都有一定的作用?？臻g允許的話，可以給PCBLayout留一個(gè)位置，方便EMI整改。

25.在進(jìn)行EMS項(xiàng)目測試時(shí)，需測試出產(chǎn)品的最大程序，直到產(chǎn)品損壞為止。

例如ESD雷擊等，一定要打到產(chǎn)品損壞為止，并做好相關(guān)記錄，看產(chǎn)品余量有多少，做到心中有數(shù)。

26.電路設(shè)計(jì)，異常測試時(shí)，短路開路某個(gè)元件如果還有輸出電壓則要進(jìn)行LPS測試，過流點(diǎn)不能超過8A（超過8A是不能申請LPS）。

27.安規(guī)開殼樣機(jī)，所有可選插件元件要裝上供拍照用，L、N線和DC線與PCB要點(diǎn)白膠固定。

這個(gè)是經(jīng)常犯的一個(gè)毛病，經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機(jī)構(gòu)，后面來來回回改來改去的。

28.電路調(diào)試，冷機(jī)時(shí)PSR需1.15倍電流能開機(jī)，SSR需1.3倍電流能開機(jī)，避免老化后啟動不良。PSR現(xiàn)在很多芯片都可以實(shí)現(xiàn)零恢復(fù)OCP電流，比如ME8327N，具有零恢復(fù)OCP電流功能。

29.電路設(shè)計(jì)，請注意使用的Y電容總?cè)萘?不能超過222P,因?yàn)橛新╇娏鞯挠绊憽ａ槍Σ煌惨?guī)，漏電流要求也不一樣，在設(shè)計(jì)時(shí)需特別留意。

30.反激拓補(bǔ)結(jié)構(gòu)，變壓器B值需小于3500高斯，如果變壓器飽和一切動作將會失控，如下左圖為正常，右圖為飽和。

變壓器的磁飽和一定要確認(rèn)，重中之重，這是首條安全性能保障，包括過流點(diǎn)的磁飽和、開機(jī)瞬間的磁飽和、輸出短路的磁飽和、高溫下的磁飽和、高低壓的磁飽和。