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ADI公司對“數(shù)字地與模擬地的區(qū)別”的解釋

鉅大鋰電  |  點擊量:0  |  2020年02月12日  

在使用大量數(shù)字電路的混合信號系統(tǒng)中,最好在物理上分離敏感的模擬元件與多噪聲的數(shù)字元件。另外針對模擬和數(shù)字電路使用分離的接地層也很有利。避免重疊可以將兩者間的容性耦合降至最低。分離的模擬和數(shù)字接地層通過母板接地層或接地網(wǎng)(由連接器接地引腳間的一連串有線互連構(gòu)成),在背板上繼續(xù)延伸。如圖所示,兩層一直保持分離,直至回到共同的系統(tǒng)星型接地,一般位于電源。接地層、電源和星型接地間的連接應(yīng)由多個總線條或?qū)掋~織帶構(gòu)成,以便獲得最小的電阻和電感。每個pCB上插入背對背肖特基二極管,以防止插拔卡時兩個接地系統(tǒng)間產(chǎn)生意外直流電壓。此電壓應(yīng)小于300mV,以免損壞同時與模擬和數(shù)字接地層相連的IC。


推薦使用肖特基二極管,它具有低電容和低正向壓降。低電容可防止模擬與數(shù)字接地層間發(fā)生交流耦合。肖特基二極管在約300mV時開始導電,如果預(yù)期有高電流,可能需要數(shù)個并聯(lián)的二極管。某些情況下,鐵氧體磁珠可替代肖特基二極管,但會引入直流接地環(huán)路,在高精度系統(tǒng)中會很麻煩。


接地層阻抗必須盡可能低,直至回到系統(tǒng)星型接地。兩個接地層間高于300mV的直流或交流電壓不僅會損壞IC,還會導致邏輯門的誤觸發(fā)以及可能的閉鎖。



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