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安譜隆半導(dǎo)體推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2020年02月11日  

安譜隆半導(dǎo)體(Ampleon)宣布,推出600W的BLF0910H9LS600LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV50VLDMOS工藝的射頻能量晶體管該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。它設(shè)計(jì)用于900到930MHzISM頻段中的工業(yè)加熱連續(xù)波(CW)射頻能量應(yīng)用。該晶體管采用小型陶瓷SOT502封裝,結(jié)合了大輸出功率和以小尺寸提供同類最佳工作效率的優(yōu)勢(shì)。此舉減少了所需的空間,從而降低了放大器設(shè)計(jì)的成本。



由于其高工作效率通常高于68%,其冷卻需求也保持在最低限度,這有助于進(jìn)一步降低所需的空間。


BLF0910H9LS600具有高增益的優(yōu)勢(shì)其19.8dB的典型增益是在915MHzCWAB類應(yīng)用中以50VVDS測(cè)得這有助于提高放大器的整體效率。


通過使用2個(gè)這種小型SOT502封裝的600W晶體管,設(shè)計(jì)人員可以在與單個(gè)SOT539封裝相同的空間中搭建出一個(gè)1.2kW的射頻功率放大器。這種架構(gòu)還有助于降低晶體管溫度,從而有效實(shí)現(xiàn)比單個(gè)SOT539解決方案更高的效率。


BLF0910H9LS600集成了ESD保護(hù)和內(nèi)部輸入匹配。此匹配增加了晶體管的輸入阻抗,簡(jiǎn)化了pCB匹配結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),從而可實(shí)現(xiàn)緊湊的放大器設(shè)計(jì)。


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