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Diodes推出ZXGD3113同步整流控制器提供更高的效率并節(jié)省電路板空間

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2020年02月11日  

為滿足業(yè)界對于提高功率密度與提高效率的廣泛需求,Diodes公司推出ZXGD3113同步整流控制器。搭配MOSFET時(shí),其配對組合可在基于反馳或諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞碾娫垂?yīng)器中,取代高損耗的蕭特基整流器。


ZXGD3113可控制外部MOSFET,例如100V16m?N通道DMT10H015LpS,配置為理想的二極管運(yùn)作。以ZXGD3113+MOSFET取代蕭特基整流器,可大幅提升以工業(yè)、消費(fèi)性產(chǎn)品及電信市場為目標(biāo)的AC-DC電源供應(yīng)器的效率。相較于高損耗的蕭特基整流器,隨著效率提升,本產(chǎn)品無需散熱器以節(jié)省空間。此外,外型尺寸更小的SOT26可降低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SO8的解決方案尺寸,并以高達(dá)250kHz的工作頻率運(yùn)作,pSU設(shè)計(jì)人員可使用更小的變壓器,進(jìn)一步節(jié)省空間與BOM成本。



ZXGD3113為低RDS(on)MOSFET提供控制,藉由使用符合比例的閘極驅(qū)動器達(dá)到更高的效率,使其能在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)中快速關(guān)斷同步MOSFET,而且也能在不連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)與臨界導(dǎo)通模式(CrCM)中運(yùn)作。其他功能還包括低于10mV的低閾值電壓,可分別控制低RDS(ON)MOSFET及1.5/3A峰值源極/汲極電流,以支持同步MOSFET的高效率驅(qū)動。3.5V至40V的廣大作業(yè)電壓范圍代表此裝置可由最低3.5V的pSU輸出直接驅(qū)動,同時(shí)提供足夠的余裕以處理過電壓尖峰或以更高的Vcc電軌(例如24V)運(yùn)作。


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