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東芝推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R

鉅大鋰電  |  點(diǎn)擊量:0  |  2020年02月10日  

東京--東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)已推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFETSSM6N813R,該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應(yīng)用,包括LED前照燈驅(qū)動(dòng)器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動(dòng)。.



100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用于需要多個(gè)LED的前照燈應(yīng)用,高抗靜電能力為此提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造,使用TSOp6F封裝,具備1.5W的允許功耗和低導(dǎo)通電阻。此外,TSOp6F的封裝尺寸比SOp8封裝小70%。


應(yīng)用場(chǎng)合

汽車LED前照燈驅(qū)動(dòng)器

特點(diǎn)

小型封裝

高靜電保護(hù)等級(jí)

低RDS(ON)

主要規(guī)格



技術(shù)專區(qū)安規(guī)的電源pCB的要求有哪些?你知道嗎?如何提高動(dòng)力電池能量密度_解析動(dòng)力電池提升能量密度的三大路對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)電路一知半解?這里有你想要知道的一切常規(guī)貼片電容尺寸英制與公制尺寸對(duì)照表ROHM開發(fā)出業(yè)界頂級(jí)高效率與軟開關(guān)兼?zhèn)涞?50V耐壓IGBT“RGTV/RGW系

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