伴隨著晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步發(fā)展，激光一直被認(rèn)為是提高電池質(zhì)量和降低制造成本的重要工具。激光加工在諸如激光燒蝕電極（LFC）、激光刻槽掩埋柵電極（LGBC）、以及M/EWT等應(yīng)用增長(zhǎng)顯著，目前在晶體硅太陽(yáng)能電池制造中應(yīng)用最廣泛的激光工藝之一是激光邊緣絕緣處理。

c-Si電池制造過(guò)程中N型離子摻雜/擴(kuò)散到p型硅基體形成微米級(jí)的N型摻雜膜層，這個(gè)膜層包圍了整個(gè)晶圓片，從而造成了電池前后兩面電極的分流，為了避免分流就必須對(duì)電池邊緣進(jìn)行絕緣化處理。

典型的激光邊緣絕緣化處理是通過(guò)在盡可能靠近太陽(yáng)能電池外緣的周圍進(jìn)行刻劃溝槽來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了獲得最佳的絕緣效果，溝槽的深度必須大于離子擴(kuò)散層，典型的溝槽深度為10-20um，寬度為20-40um。盡管Spectra-physics激光器產(chǎn)品中有眾多型號(hào)能勝任絕緣處理工作，但是加工速度最快，質(zhì)量最高的還是最新的調(diào)Q全固態(tài)激光器系列，其中首選為pulseo355-20。

355nm短波長(zhǎng)，<23ns的短脈沖寬度使得pulseo激光器是太陽(yáng)能電池絕緣化處理的理想選擇。實(shí)驗(yàn)室測(cè)試證明結(jié)合高速掃描檢流技術(shù)，pulseo355-20在1-2秒內(nèi)可以絕緣156mm的晶圓片，集成加工設(shè)備后，有賴于良好光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)（光斑等）絕緣劃片的速度可望達(dá)到500-1000mm/sec或者更高。

由于短的脈沖寬度，與355nm短波長(zhǎng)造成的硅片作用深度淺等因素造就了pulseo紫外激光器的高精度絕緣劃線。作為另外的選擇532nm激光也可用于絕緣劃線，并且同樣保持著高速度與高質(zhì)量。

對(duì)于綠光，我們提供pulseo532-34，高功率的調(diào)Q激光器。當(dāng)結(jié)合電流掃描儀，既能獲得高速拐彎與最少的燒蝕。120kHz重復(fù)頻率下極高的功率和穩(wěn)定、優(yōu)異的性能使其在很小的聚焦光斑下也能獲得平滑均勻的刻劃線。總之，pulseo532-34的短脈沖寬度結(jié)合高峰值功率和高重復(fù)頻率帶來(lái)干凈高效的激光絕緣化劃線效果。

太陽(yáng)能電池邊緣絕緣處理推薦產(chǎn)品：pulseo激光器

pulseo系列激光器延續(xù)了Spectra-physics全固態(tài)調(diào)Q激光器高功率、高重復(fù)頻率的優(yōu)秀品質(zhì)，擁有高峰值功率、短脈寬與嚴(yán)格的制造標(biāo)準(zhǔn)，是高精度加工工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。